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飞虹MOS管FHP170N1F4A的特点与参数

2026-07-10 14:57:07 [热点] 来源:华佑尔展览(上海)有限公司

5G电源、飞虹车载逆变器、特点参UPS等高效能电源系统中,飞虹工程师常选用IPP045N10N3G、特点参HYG045N10NS1B、飞虹STI150N10F7等MOS管作为功率开关器件。特点参

随着国产半导体技术的飞虹成熟,飞虹半导体推出的特点参FHP170N1F4A型号场效应管,不仅具备与上述多款场效应管型号兼容的飞虹电气参数,更在导通电阻和开关性能方面表现出色,特点参成为国产替代的飞虹优秀选择。

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为什么FHP170N1F4A能替代IPP045N10N3G、特点参HYG045N10NS1B、飞虹STI150N10F7多款MOS管型号在电路设计中使用呢?特点参

因为FHP170N1F4A作为一款性能优异的国产N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的飞虹SGT工艺,具备以下对设计有利的特点:

极低的导通电阻(RDS(on)典型值3.6mΩ)、低栅极电荷(Qg典型值90nC)、开关速度快、100%经过Rg测试、极低的FOM(RDSON*Qg)、100%经过雪崩测试、100%经过热阻测试。

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当然除了产品具备的优良特点外,FHP170N1F4A其还具备优良的参数:

Vds:100V

Id(连续):172A(硅极限)/120A(封装极限),高于STI150N10F7的110A

Idm(脉冲):480A

RDS(on)典型值:3.6mΩ(@Vgs=10V),优于HYG045N10NS1B的4.5mΩ

Qg典型值:90nC,低于IPP045N10N3G的117nC

Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V

反向传输电容:33pF

TO-220封装:便于安装散热器,适用于中大功率电源模块

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基于上述的良好特点与参数,因此FHP170N1F4A可完美替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等多款MOS管型号。并用于5G电源、12-24V车载逆变器、48V工频逆变器、AC-DC开关电源DC/DC转换器、UPS、户外储能电源、BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等产品。

除参数适合外,飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

(责任编辑:综合)

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